Il rame di grado elettronico C11000 è caratterizzato da una composizione chimica minima del 99,90% di rame e da bassi livelli di impurità ed elementi leganti.
La bobina e il foglio di rame di grado elettronico C11000 vengono utilizzati nella produzione di componenti elettronici sensibili e precisi come circuiti stampati, connettori, transistor e altri dispositivi elettronici. Grazie alla sua elevata conducibilità elettrica e termica, il rame di grado elettronico C11000 è un materiale ideale per la produzione di componenti che richiedono elevate velocità di trasferimento dati e bassa resistenza elettrica.
| Caratteristiche | Valori |
|---|---|
| Composizione chimica | Rame (Cu) - 99.90 percento minimo, Argento (Ag) - 0.001 percento massimo |
| Conducibilità elettrica | 100% IACS (International Annealed Copper Standard) |
| resistività elettrica | 1,7241 microhm-cm a 20 gradi |
| Densità | 8,89 g/cm³ |
| Punto di fusione | 1083 gradi |
| Coefficiente di espansione termica | 17.0 x 10^-6/grado (da 20 gradi a 200 gradi) |
| Modulo di elasticità | 117 GPa |
| Limite elastico | 70MPa |
| Durezza | 45 Rockwell B |
| forme disponibili | lamiera, bobina |
Domande frequenti
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